手机闪存芯片（手机里的闪存是SLC还是MLC）

本文目录

• 手机里的闪存是SLC还是MLC
• 手机掉水了手机里的闪存芯片时间长了会坏么要专业的人来回答
• 什么手机用slc闪存颗粒
• SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
• iPhone手机扩容后，如何分辨维修商家换上的硬盘的真实大小
• 手机存储芯片寿命

手机里的闪存是SLC还是MLC

手机多数是mlc

SLC，英文全称Single-Level Cell，1bit/cell，单层式存储，仅允许在一个内存元素中存储1个比特位的信息。MLC，英文全称Multi-Level Cell，2bit/cell，多层式存储，允许在一个内存元素中存储2个比特位的信息。TLC，英文全称Trinary-Level Cell，3bit/cell，三层式存储，允许在一个内存元素中存储3个比特位的信息。由此得出，闪存颗粒面积相同时，存储量由小到大：SLC《MLC《TLC。SLC、MLC、TLC闪存芯片颗粒的优缺点分析SLC，存取速率快，可擦写次数多（使用寿命长），但生产成本价格昂贵（至少为MLC的三倍）。MLC，存取速率较快，可擦写次数相对SLC少（使用寿命约为SLC的十分之一），价格一般。TLC，存取速率较慢，可擦写次数进一步减少（使用寿命约为SLC的二十分之一），价格相对便宜。由于MLC架构的闪存芯片价格比较适中，使用寿命和速率也相对不错，就目前市场格局来看，大多固态硬盘都采用了MLC的闪存芯片架构。虽然说SLC、MLC、TLC的芯片架构速率有很大差别，但相对传统的机械硬盘来说，都是质的飞升，所以笔者给不同的人群推荐使用不同的闪存芯片架构的固态硬盘：对综合性能、数据存储、安全要求高，经济条件充裕，首选SLC。对存取速率等性能方面有要求，经济条件适中或一般，建议选择MLC，这也是大众化的选择。同样的价位，对性能没有什么追求，只注重存储容量，可选择TLC。

手机掉水了手机里的闪存芯片时间长了会坏么要专业的人来回答

咨询记录 · 回答于2021-10-17

手机掉水了手机里的闪存芯片时间长了会坏么？要专业的人来回答

会水渗透到手机里面的主板芯片上了，时间一长，就算不会烧坏手机，也会生很多的锈，所以你要抓紧时间去店里清洗一下，屏幕有水印的原因是手机运作时会产生热量，里面的一部分水珠变成了蒸汽。时间一长，屏幕会坏掉。现在去修也就是收个清理费，再过段时间，要是主板和瓶坏了，那可就不是这么几个钱了。花的钱都够买个新手机的了。

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什么手机用slc闪存颗粒

SLC，英文全称Single-Level Cell，1bit/cell，单层式存储，仅允许在一个内存元素中存储1个比特位的信息。在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC。SLC颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚至更贵。

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

　　SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。

　　SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1

　　据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。

　　该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。

　　去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

　　这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

　　由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

　　据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

　　外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

　　SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产2

　　SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。

　　据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

　　SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

　　官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

　　此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

　　SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。

　　SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产3

　　7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

　　美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。

　　韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。

　　据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

　　SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

　　 层数越高越好

　　NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

　　而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

　　与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

　　不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

　　美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

　　而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

　　 200层的野心

　　目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

　　早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

　　今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

　　参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

　　现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

　　而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

iPhone手机扩容后，如何分辨维修商家换上的硬盘的真实大小

众所周知，手机扩容现在是iPhone最常见的维修服务了，但苹果手机的闪存芯片（一般手机维修行业都称作硬盘）是封装在主板上的，只能专业的维修人员通过专业的维修设备来更换，并将原芯片资料写入到新的芯片才能通过苹果官方验证成功激活。目前苹果手机闪存芯片品牌主要有东芝（Toshiba）、海力士（Hynix）、闪迪（SanDisk）三家。那么手机扩容后，我们怎么分辨维修商家换上的硬盘的真实大小呢？ 实际上每个硬盘芯片表面都有一串相关的字符来标识这块硬盘的一些数据，就像我们的身份证号码一样，不同的数字字符的组合代表了不同的信息，普通的用户是没有方法去进行辨别的，所以我特地把市面常见的几种硬盘芯片的字符标识进行了整理，方便大家来一探究竟。东芝（Toshiba）硬盘：分为两种第一种：在东芝硬盘中，TOSHIBA下面那一行第八位数字表示硬盘的容量，7表示16G，8表示32G，9表示64G，0表示128G，1表示256G。常见的东芝硬盘 第二种：另外还有一种东芝硬盘，硬盘表面第一行第八位数字表示硬盘的容量，7表示16G，8表示32G，9表示64G，0表示128G，1表示256G。东芝硬盘外形 海力士（Hynix）在海力士硬盘中，SKhynix下面那一行第五位字母（或数字）表示硬盘的容量，C表示8G，D表示16G，E表示32G，F表示64G，1表示128G，2表256G。常见的海力士硬盘 闪迪（SanDisk）在闪迪硬盘中，SanDisk下面一行最后四位数字及字母表示硬盘容量，016G表示16G，032G表示32G，064G表示64G，128G表示128G。常见的闪迪硬盘 三星硬盘：在三星硬盘中，硬盘表面第三行（KL开头的那一行）第七个字母表示硬盘容量，V表示128G，K表示256G。常见的三星硬盘 以上是查看苹果iPhone手机各品牌硬盘容量的识别方法的介绍，你学会了吗？

手机存储芯片寿命

如果说的是CPU、GPU这样的芯片，寿命其实是非常长的，但它也不是一个可以永久工作的芯片，因为即使是在正常使用中，CPU中的电子通过动能不断冲击着电路中的金属原子，这个过程中会导致其一小部分脱离，也就是常说的“电子迁移”。尽管很长一段时间来看这种影响很微小，但是随着CPU工作时间的增长，电子迁移就会开始导致电路变形，发生短路漏电和干扰等现象，再接下来可能就会导致CPU运算出错、功能异常进而彻底报销。

电子迁移现象会随着CPU工作频率和工作温度的提高更加严重，也就是说为了CPU的寿命和稳定，厂商一般不推荐用户对CPU芯片大幅度超频，超频所带来的频率增加和温度提高都会折损CPU的寿命。

对于品质合格的CPU芯片来说，在正常的温度和频率下工作，即使在合理范围内超频，按照日常家用电脑的使用频率，几乎是不可能在换新电脑前坏掉的，用个8-10年不成问题。所以更多的CPU芯片是由于性能不足而被淘汰的，然而这几年一款中端CPU保持个四五年的性能寿命也不成问题。

如果说是SSD上用的闪存芯片，那就有相对有限的寿命了，闪存芯片主要分为SLC、MLC和TLC三种，SLC寿命最长，速度最快，但是成本最高，TLC则相反。闪存的寿命磨损就在于闪存单元的写入-擦除，一般来说，SLC闪存可进行100000次写入-擦除循环，MLC可进行10000次左右。

不要觉得可怕，得益于越来越先进的主控芯片，日常使用下正常的闪存芯片没那么容易用坏，即使是TLC闪存，寿命达到8年以上也没有问题，使用几年后一般都会掉速，不过实际影响并不大。其实相比闪存芯片，SSD上的主控反而更有可能先坏掉。所以我们不用太在意闪存芯片的寿命，一般在你换下一个SSD或者手机时，它就直接淘汰掉了。

不过对于7*24小时工作的服务器来说，非常不建议用SSD，因为在这种高强度工作环境下的闪存芯片寿命会大打折扣，即使是机械硬盘，用个两三年挂掉的几率也很高。

至于电脑上的内存芯片（RAM），由于其电容存储机制，只要是正常没有缺陷的芯片，寿命非常长，要不然绝大多数内存条都是终身保，只要不是不当超频，静电损坏，人为破坏，正常的内存寿命几乎不用担心。

其实相比电脑各类芯片的寿命，我们更应该关心主板和显卡上电容电感的寿命，电源的品质和整体散热水平，这些往往才是影响电脑寿命的关键。